共用装置

膜加工・エッチング

プラズマエッチング

ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素) ICP-RIE Etching Systems(F)

機器ID
ARIM装置番号:HK-620 GFC装置番号:AP-200012
メーカー名(英語表記)
サムコ(samco)
型番
RIE-101iPH
装置の特長及び仕様

使用ガス:SF6,C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8
試料サイズ:最大4インチ

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-620_ICP高密度プラズマエッチング(フッ素)

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1383

反応性イオンエッチング装置 Reactive ion Etching Systems

機器ID
ARIM装置番号:HK-621 GFC装置番号:AP-200013
メーカー名(英語表記)
サムコ(samco)
型番
RIE-10NRV
装置の特長及び仕様

使用ガス:CF4、Ar、O2、CHF3
試料サイズ:最大8インチ

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装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1384

NLDドライエッチング装置 NLD Dry Etching System

機器ID
ARIM装置番号:HK-622 GFC装置番号:AP-200014
メーカー名(英語表記)
アルバック(Ulvac)
型番
NLD-500
装置の特長及び仕様

使用ガス:SF6、CF4、CHF3、Ar、O2、C3F8
試料サイズ:最大4インチ

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-622_NLDドライエッチング

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1385

イオンミリング装置 Ion milling system

機器ID
ARIM装置番号:HK-623 GFC装置番号:AP-200015
メーカー名(英語表記)
アルバック(Ulvac)
型番
IBE-6000S
装置の特長及び仕様

使用ガス:Ar
試料サイズ:最大3インチ

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装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1386

シリコン深掘りエッチング装置 Si Deep RIE System

機器ID
ARIM装置番号:HK-624 GFC装置番号:AP-200073
メーカー名(英語表記)
SPPテクノロジーズ(SPP Technologies)
型番
APX-Pegasus-Polestar
装置の特長及び仕様

使用ガス:SF6、C4F8、Ar、O2
試料サイズ:最大4インチ

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装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1449

ICP高密度プラズマエッチング装置(塩素) ICP-RIE Etching Systems(Cl)

機器ID
ARIM装置番号:HK-619 GFC装置番号:AP-200067
メーカー名(英語表記)
サムコ(samco)
型番
RIE-101iHS
装置の特長及び仕様

使用ガス:Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ:最大4インチ

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-619_ICP高密度プラズマエッチング(塩素)

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1424