共用装置
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成膜装置
蒸着(抵抗加熱、電子線)
EB加熱・抵抗加熱蒸着装置 EB gun/resistant heating-type vacuume evaporation system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-703 GFC装置番号：AP-200027
- メーカー名（英語表記）
- アルバック(Ujlvac)
- 型番
- EBX-8C
- 装置の特長及び仕様
電子線、抵抗加熱方式
蒸着源：EB４元・抵抗加熱1元
蒸着材料：Si、Al、Fe、 Mo、Auデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-703_EB加熱・抵抗加熱蒸着
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1396
EB蒸着装置 EB vacuume evaporation system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-607 GFC装置番号：AP-200074
- メーカー名（英語表記）
- エイコー(Eiko)
- 型番
- EB-580S
- 装置の特長及び仕様
蒸着源:Au,Ti,Al,Cu,Nb
基板加熱可(600℃程度まで)
水晶振動式膜厚計データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-607_EB蒸着
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1450
真空蒸着装置 Vacuume evaporation system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-608 GFC装置番号：AP-200005
- メーカー名（英語表記）
- サンバック(SANVAC)
- 型番
- ED-1500R
- 装置の特長及び仕様
蒸着源:抵抗加熱3元、EB3元
基板加熱可
水晶振動式膜厚計データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-608_真空蒸着装置
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1376
スパッタリング（スパッタ）
マニュアルスパッタ Manual Sputter
- 機器ID
- ARIM登録番号：HK-XXX GFC装置番号：AP-200089
- メーカー名（英語表記）
- 自作
- 装置の特長及び仕様
成膜したい材料を装着させることが可能
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/1580
スパッタ装置 Sputtering system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-704 GFC装置番号：AP-200068
- メーカー名（英語表記）
- 菅製作所(SUGA)
- 型番
- SSP3000Plus
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：1元、Au、Cr、FeNi、SiO2等
成膜温度：～300℃
最大試料料サイズ：φ 150mmデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-704_スパッタ
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1425
ヘリコンスパッタリング装置 Helicon sputtering system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-609 GFC装置番号：AP-200008
- メーカー名（英語表記）
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- MPS-4000C1/HC1
- 装置の特長及び仕様
カソード：3元（マグネトロン4インチ、ヘリコンDC2インチ、ヘリコンRF2インチ）
成膜材料：Au,Cr,Ti
試料サイズ：最大4インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-609_ヘリコンスパッタ
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1379
コンパクトスパッタ装置 Compact Sputter
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-610 GFC装置番号：AP-200066
- メーカー名（英語表記）
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- ACS-4000-C3-HS
- 装置の特長及び仕様
カソード4元（DC3元、RF1元）
成膜材料：SiO2、Au,Cr、Mo等
基板サイズ：10mm～4インチ（リフトオフ仕様では25mm角まで）
基板加熱機構有り（～550℃）データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-610_コンパクトスパッタ
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1423
多元スパッタ装置 Multi-target Sputtering sysutem
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-611 GFC装置番号：AP-200072
- メーカー名（英語表記）
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- QAM-4-STS
- 装置の特長及び仕様
カソード7元（ヘリコン2台含む）
試料：小片～最大Φ100㎜
垂直成膜可能（25mm角まで）
コスパッタ（DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット：Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載（N,O)データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-611_多元スパッタ
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1448
イオンビームスパッタ装置 Ion beam sputtering system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-612 GFC装置番号：AP-200009
- メーカー名（英語表記）
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- IBS-6000
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：4元、Ni,Cr,SiO2、W-Si他
試料サイズ：最大3インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-612_イオンビームスパッタ
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1380
化学蒸着(CVD)装置
プラズマCVD装置 Plasma Enhanced CVD system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-613 GFC装置番号：AP-200006
- メーカー名（英語表記）
- サムコ(samco)
- 型番
- PD-220ESN
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：SiO2、SiN
試料サイズ：最大8インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-613_プラズマCVD
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1377
液体ソースプラズマCVD装置 Liquid Source CVD Systems
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-614 GFC装置番号：AP-200007
- メーカー名（英語表記）
- サムコ(samco)
- 型番
- PD-10C1
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：SiO2他（原料持ち込み可）
キャリアガス：N2,He,Ar,H2
試料サイズ：最大3インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-614_液体ソースプラズマCVD
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1378
その他
パルスレーザー堆積装置 Pulse Laser Deposition system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-615 GFC装置番号：AP-200060
- メーカー名（英語表記）
- パスカル(Pascal)
- 型番
- PAC-LMBE
- 装置の特長及び仕様
レーザー光源：248nm
基板サイズ：
成膜材料：TiO2,STOなどデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-615_パルスレーザー堆積
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1417
原子層堆積(ALD)装置
原子層堆積装置 Atomic Layer Depositon system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-616 GFC装置番号：AP-200010
- メーカー名（英語表記）
- ピコサン(Picosun)
- 型番
- SUNALE-R
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：SiO2、TiO2、Al2O3他（原料持ち込み可）
試料サイズ：最大6インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-616_原子層堆積
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1381
原子層堆積装置（粉末対応型） Atomic Layer Depositon system (Powder)
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-617 GFC装置番号：AP-200078
- メーカー名（英語表記）
- ピコサン(Picosun)
- 型番
- R-200 Advanced
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：TiO2、Al2O3
試料サイズ：最大8インチ、粉末試料（1g～15g)データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-617_原子層堆積（粉末対応型）
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1454
プラズマ原子層堆積装置 Plasma Enhanced ALD system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-618 GFC装置番号：AP-200083
- メーカー名（英語表記）
- サムコ(samco)
- 型番
- AD-230LP
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：Al2O3他
試料サイズ：最大8インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-618_プラズマ原子層堆積
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/rsv_top/1552
