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膜加工・エッチング
プラズマエッチング
ICP高密度プラズマエッチング装置(フッ素) ICP-RIE Etching Systems(F)
- 機器ID
- ARIM装置番号:HK-620 GFC装置番号:AP-200012
- メーカー名(英語表記)
- サムコ(samco)
- 型番
- RIE-101iPH
- 装置の特長及び仕様
使用ガス:SF6,C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8
試料サイズ:最大4インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-620_ICP高密度プラズマエッチング(フッ素)
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1383
反応性イオンエッチング装置 Reactive ion Etching Systems
- 機器ID
- ARIM装置番号:HK-621 GFC装置番号:AP-200013
- メーカー名(英語表記)
- サムコ(samco)
- 型番
- RIE-10NRV
- 装置の特長及び仕様
使用ガス:CF4、Ar、O2、CHF3
試料サイズ:最大8インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-621_反応性イオンエッチング
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1384
NLDドライエッチング装置 NLD Dry Etching System
- 機器ID
- ARIM装置番号:HK-622 GFC装置番号:AP-200014
- メーカー名(英語表記)
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- NLD-500
- 装置の特長及び仕様
使用ガス:SF6、CF4、CHF3、Ar、O2、C3F8
試料サイズ:最大4インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-622_NLDドライエッチング
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1385
イオンミリング装置 Ion milling system
- 機器ID
- ARIM装置番号:HK-623 GFC装置番号:AP-200015
- メーカー名(英語表記)
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- IBE-6000S
- 装置の特長及び仕様
使用ガス:Ar
試料サイズ:最大3インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-623_イオンミリング
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1386
シリコン深掘りエッチング装置 Si Deep RIE System
- 機器ID
- ARIM装置番号:HK-624 GFC装置番号:AP-200073
- メーカー名(英語表記)
- SPPテクノロジーズ(SPP Technologies)
- 型番
- APX-Pegasus-Polestar
- 装置の特長及び仕様
使用ガス:SF6、C4F8、Ar、O2
試料サイズ:最大4インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-624_シリコン深堀りエッチング
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1449
ICP高密度プラズマエッチング装置(塩素) ICP-RIE Etching Systems(Cl)
- 機器ID
- ARIM装置番号:HK-619 GFC装置番号:AP-200067
- メーカー名(英語表記)
- サムコ(samco)
- 型番
- RIE-101iHS
- 装置の特長及び仕様
使用ガス:Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ:最大4インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-619_ICP高密度プラズマエッチング(塩素)
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1424