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微小加工装置

集束イオンビーム（FIB）

FIB-SEM複合装置 FIB-SEM Integrated System

機器ID
ARIM登録番号：HK-XXX　GFC装置番号：AP-200097
メーカー名（英語表記）
日立ハイテク(Hitachi High-Tech Corporation.)
型番
Ethos NX5000
装置の特長及び仕様

＜FIB＞
二次電子像分解能（C.P）　4 nm @ 30 kV
60 nm @ 2 kV （エッジ分解能）
加速電圧　0.5 kV – 30 kV
プローブ電流範囲　0.05 pA – 100 nA
イオン源　Ga液体金属イオン源

＜SEM＞
二次電子像分解能（C.P）1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
加速電圧 0.1 kV – 30 kV
プローブ電流範囲 5 pA – 10 nA
電子銃 冷陰極電界放出型

標準検出器
In-Column二次電子検出器　SE（U）
In-Column反射電子検出器　BSE（U）
In-Column反射電子検出器　BSE（L）
チャンバー二次電子検出器　SE（L）

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/2846

集束イオンビーム加工観察装置

機器ID
ARIM装置番号：HK-105　GFC装置番号 ：AP-200081
メーカー名（英語表記）
日本電子(JEOL)
型番
JEM-9320FIB
装置の特長及び仕様

イオン源：Ga液体金属イオン源
加速電圧：5～30kV(5kVステップ)
倍率：×50(視野探し)、×150～300,000
像分解能：6nm(30kV時)
稼働絞り5段(モーター駆動)
イオンビーム加工形状：矩形、ライン、スポット
試料ステージ：TEM試料サイドエントリー、ゴニオメータステージ

超高圧電子顕微鏡室 denken[at]eng.hokudai.ac.jpへお問い合わせください。

集束イオンビーム加工装置 FIB

機器ID
HK-105
メーカー名（英語表記）
日本電子(JEOL)
型番
JEM-9320FIB
装置の特長及び仕様

・イオン加速電圧：5 ～ 30 kV
・倍率：150（50）～300,000
・真空系：ターボ分子ポンプ（TMP）、ロータリーポンプ（RP）
・チップオンホルダー
・バルクホルダー
・ピックアップ装置
・遠隔観察装置

 

超高圧電子顕微鏡室 denken[at]eng.hokudai.ac.jpへお問い合わせください。

集束イオンビーム加工・観察装置 Focused Ion Beam and Scanning Electron Microscope system(FIB-SEM)

機器ID
ARIM装置番号：HK-304　GFC装置番号：AP-200046
メーカー名（英語表記）
日本電子(JEOL)
型番
JIB-4600F/HKD
装置の特長及び仕様

加速電圧：1～30kV
分析機能：EDS、EBSD、3D観察
像分解能：5nm（30kV）

 

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1407

集束イオンビーム加工装置 Focused Ion Beam system

機器ID
ARIM装置番号：HK-403　GFC装置番号：AP-200042
メーカー名（英語表記）
日立ハイテク(Hitachi High-Tech)
型番
FB-2100
装置の特長及び仕様

イオン加速電圧：5 ～ 30 kV
サイドエントリーステージ
バルクステージ
マイクロサンプリング機能

 

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1404