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成膜装置

スパッタリング（スパッタ）

マニュアルスパッタ Manual Sputter

機器ID
ARIM登録番号：HK-XXX　GFC装置番号：AP-200089
メーカー名（英語表記）
自作
装置の特長及び仕様

成膜したい材料を装着させることが可能

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/1580

スパッタ装置 Sputtering system

機器ID
ARIM装置番号：HK-704　GFC装置番号：AP-200068
メーカー名（英語表記）
菅製作所(SUGA)
型番
SSP3000Plus
装置の特長及び仕様

成膜材料：1元、Au、Cr、FeNi、SiO2等
成膜温度：～300℃
最大試料料サイズ：φ 150mm

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-704_スパッタ

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1425

ヘリコンスパッタリング装置 Helicon sputtering system

機器ID
ARIM装置番号：HK-609　GFC装置番号：AP-200008
メーカー名（英語表記）
アルバック(Ulvac)
型番
MPS-4000C1/HC1
装置の特長及び仕様

カソード：3元（マグネトロン4インチ、ヘリコンDC2インチ、ヘリコンRF2インチ）
成膜材料：Au,Cr,Ti
試料サイズ：最大4インチ

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-609_ヘリコンスパッタ

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1379

コンパクトスパッタ装置 Compact Sputter

機器ID
ARIM装置番号：HK-610　GFC装置番号：AP-200066
メーカー名（英語表記）
アルバック(Ulvac)
型番
ACS-4000-C3-HS
装置の特長及び仕様

カソード4元（DC3元、RF1元）
成膜材料：SiO2、Au,Cr、Mo等
基板サイズ：10mm～4インチ（リフトオフ仕様では25mm角まで）
基板加熱機構有り（～550℃）

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-610_コンパクトスパッタ

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1423

多元スパッタ装置 Multi-target Sputtering sysutem

機器ID
ARIM装置番号：HK-611　GFC装置番号：AP-200072
メーカー名（英語表記）
アルバック(Ulvac)
型番
QAM-4-STS
装置の特長及び仕様

カソード7元（ヘリコン2台含む）
試料：小片～最大Φ100㎜
垂直成膜可能（25mm角まで）
コスパッタ（DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット：Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載（N,O)

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-611_多元スパッタ

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1448

イオンビームスパッタ装置 Ion beam sputtering system

機器ID
ARIM装置番号：HK-612　GFC装置番号：AP-200009
メーカー名（英語表記）
アルバック(Ulvac)
型番
IBS-6000
装置の特長及び仕様

成膜材料：4元、Ni,Cr,SiO2、W-Si他
試料サイズ：最大3インチ

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-612_イオンビームスパッタ

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1380