共用装置

・対物レンズ　10,x20,x50,x150
・レーザー波長　408nm

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/1451

＜FIB＞
二次電子像分解能（C.P）　4 nm @ 30 kV
60 nm @ 2 kV （エッジ分解能）
加速電圧　0.5 kV – 30 kV
プローブ電流範囲　0.05 pA – 100 nA
イオン源　Ga液体金属イオン源

＜SEM＞
二次電子像分解能（C.P）1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
加速電圧 0.1 kV – 30 kV
プローブ電流範囲 5 pA – 10 nA
電子銃 冷陰極電界放出型

標準検出器
In-Column二次電子検出器　SE（U）
In-Column反射電子検出器　BSE（U）
In-Column反射電子検出器　BSE（L）
チャンバー二次電子検出器　SE（L）

<Arイオン加工>
加速電圧 0.5 kV – 2 kV

<GIS>
ガス種 カーボン(C)/タングステン(W)/プラチナ(Pt)

大気非暴露冷却試料ホルダー
連続自動TEM試料作製ソフトウェア

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/2846

到達真空度 : 10E-5 Pa台
基板ホルダー : Φ8インチ
基板機構 : 水冷機構搭載（回転無し）
電子銃 : 6.4kW 270°偏向 ±10mmスキャン
蒸着源 : 6点リボルバー回転式
基板 – 蒸着源距離 : 500 mm
ロードロック付き

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/2847

電子線描画時に生じる近接効果を補正して設計通りのパターンを電子線で描画するためのパターン補正システム。グレースケール露光用のデータ生成が可能。

● BEAMER Pro Package BLT01

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/2655

フッ化キセノンガスによるシリコンの異方性ドライエッチング装置。完全ドライプロセスのため、スティッキングによる自立デバイスの破壊を抑制。プラズマを使用しないため、電解による素子へのダメージがない。Siのみと反応するため高い選択比が可能。

●反応室：Al製、φ150mm(内径)
●反応ガス：XeF2
●ガス圧力：400Pa

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/2654