共用装置

＜FIB＞
二次電子像分解能（C.P）　4 nm @ 30 kV
60 nm @ 2 kV （エッジ分解能）
加速電圧　0.5 kV – 30 kV
プローブ電流範囲　0.05 pA – 100 nA
イオン源　Ga液体金属イオン源

＜SEM＞
二次電子像分解能（C.P）1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
加速電圧 0.1 kV – 30 kV
プローブ電流範囲 5 pA – 10 nA
電子銃 冷陰極電界放出型

標準検出器
In-Column二次電子検出器　SE（U）
In-Column反射電子検出器　BSE（U）
In-Column反射電子検出器　BSE（L）
チャンバー二次電子検出器　SE（L）

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/2846

チャンバー内寸　600×600×800 mm
※高真空脱ガス処理済み
排気系　2100 L/sec TMP+Dryポンプ
基板機構 φ8インチ対応 水冷機構付(基板回転なし)
圧空作動式基板シャッター装備
膜厚計 QCMセンサー（1ch）
電子銃 6.4 kW 270°偏向
※低レート蒸着も可能(0.1 Å/sec Au or Al)
ルツボ 容量12 ml×6連回転式ルツボ
※クロスコンタミ対策
ハースライナー多重ハースライナー選択可能

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https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/instruments/2847

電子線描画時に生じる近接効果を補正して設計通りのパターンを電子線で描画するためのパターン補正システム。グレースケール露光用のデータ生成が可能。

● BEAMER Pro Package BLT01

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
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フッ化キセノンガスによるシリコンの異方性ドライエッチング装置。完全ドライプロセスのため、スティッキングによる自立デバイスの破壊を抑制。プラズマを使用しないため、電解による素子へのダメージがない。Siのみと反応するため高い選択比が可能。

●反応室：Al製、φ150mm(内径)
●反応ガス：XeF2
●ガス圧力：400Pa

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ワイドな垂直測定レンジ（最大1200μm）
優れた段差測定再現性（1σ＝0.5nm/1μm段差）
低針圧測定（0.03mg ～ 15mg）
観察用カラーカメラ（4Xデジタルズーム付）

nanolab@ist.hokudai.ac.jpへお問い合わせください。