共用装置
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シリコン深掘りエッチング装置 Si Deep RIE System
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-624 GFC装置番号：AP-200073
- メーカー名（英語表記）
- SPPテクノロジーズ(SPP Technologies)
- 型番
- APX-Pegasus-Polestar
- 装置の特長及び仕様
使用ガス：SF6、C4F8、Ar、O2
試料サイズ：最大4インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-624_シリコン深堀りエッチング
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1449
イオンミリング装置 Ion milling system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-623 GFC装置番号：AP-200015
- メーカー名（英語表記）
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- IBE-6000S
- 装置の特長及び仕様
使用ガス：Ar
試料サイズ：最大3インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-623_イオンミリング
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1386
NLDドライエッチング装置 NLD Dry Etching System
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-622 GFC装置番号：AP-200014
- メーカー名（英語表記）
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- NLD-500
- 装置の特長及び仕様
使用ガス：SF6、CF4、CHF3、Ar、O2、C3F8
試料サイズ：最大4インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-622_NLDドライエッチング
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1385
反応性イオンエッチング装置 Reactive ion Etching Systems
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-621 GFC装置番号：AP-200013
- メーカー名（英語表記）
- サムコ(samco)
- 型番
- RIE-10NRV
- 装置の特長及び仕様
使用ガス：CF4、Ar、O2、CHF3
試料サイズ：最大8インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-621_反応性イオンエッチング
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1384
ICP高密度プラズマエッチング装置（フッ素） ICP-RIE Etching Systems(F)
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-620 GFC装置番号：AP-200012
- メーカー名（英語表記）
- サムコ(samco)
- 型番
- RIE-101iPH
- 装置の特長及び仕様
使用ガス：SF6,C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8
試料サイズ：最大４インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-620_ICP高密度プラズマエッチング（フッ素）
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1383
