共用装置
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原子層堆積装置（粉末対応型） Atomic Layer Depositon system (Powder)
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-617 GFC装置番号：AP-200078
- メーカー名（英語表記）
- ピコサン(Picosun)
- 型番
- R-200 Advanced
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：TiO2、Al2O3
試料サイズ：最大8インチ、粉末試料（1g～15g)データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-617_原子層堆積（粉末対応型）
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1454
プラズマ原子層堆積装置 Plasma Enhanced ALD system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-618 GFC装置番号：AP-200083
- メーカー名（英語表記）
- サムコ(samco)
- 型番
- AD-230LP
- 装置の特長及び仕様
成膜材料：Al2O3他
試料サイズ：最大8インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-618_プラズマ原子層堆積
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/rsv_top/1552
ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素） ICP-RIE Etching Systems(Cl)
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-619 GFC装置番号：AP-200067
- メーカー名（英語表記）
- サムコ(samco)
- 型番
- RIE-101iHS
- 装置の特長及び仕様
使用ガス：Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ：最大４インチデータご提供用のエクセルファイルはこちらHK-619_ICP高密度プラズマエッチング（塩素）
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1424
多元スパッタ装置 Multi-target Sputtering sysutem
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-611 GFC装置番号：AP-200072
- メーカー名（英語表記）
- アルバック(Ulvac)
- 型番
- QAM-4-STS
- 装置の特長及び仕様
カソード7元（ヘリコン2台含む）
試料：小片～最大Φ100㎜
垂直成膜可能（25mm角まで）
コスパッタ（DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット：Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載（N,O)データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-611_多元スパッタ
装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1448
精密イオン研磨装置 Precision ion polishing system
- 機器ID
- ARIM装置番号：HK-407 GFC装置番号：AP-200079
- メーカー名（英語表記）
- ガタン(Gatan)
- 型番
- PIPSII
- 装置の特長及び仕様
イオン加速電圧：1 ～ 6 kV
イオン入射角：最大±10°
液体窒素冷却装置
TVカメラ装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1519
