共用装置

原子層堆積装置(粉末対応型) Atomic Layer Depositon system (Powder)

機器ID
ARIM装置番号:HK-617 GFC装置番号:AP-200078
メーカー名(英語表記)
ピコサン(Picosun)
型番
R-200 Advanced
装置の特長及び仕様

成膜材料:TiO2、Al2O3
試料サイズ:最大8インチ、粉末試料(1g~15g)

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-617_原子層堆積(粉末対応型)

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1454

プラズマ原子層堆積装置 Plasma Enhanced ALD system

機器ID
ARIM装置番号:HK-618 GFC装置番号:AP-200083
メーカー名(英語表記)
サムコ(samco)
型番
AD-230LP
装置の特長及び仕様

成膜材料:Al2O3他
試料サイズ:最大8インチ

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装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/rsv_top/1552

 

ICP高密度プラズマエッチング装置(塩素) ICP-RIE Etching Systems(Cl)

機器ID
ARIM装置番号:HK-619 GFC装置番号:AP-200067
メーカー名(英語表記)
サムコ(samco)
型番
RIE-101iHS
装置の特長及び仕様

使用ガス:Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ:最大4インチ

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装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1424

コンパクトスパッタ装置 Compact Sputter

機器ID
ARIM装置番号:HK-610 GFC装置番号:AP-200066
メーカー名(英語表記)
アルバック(Ulvac)
型番
ACS-4000-C3-HS
装置の特長及び仕様

カソード4元(DC3元、RF1元)
成膜材料:SiO2、Au,Cr、Mo等
基板サイズ:10mm~4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで)
基板加熱機構有り(~550℃)

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装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1423

X線光電子分光装置 X-ray photoelectron spectrometer

機器ID
ARIM装置番号:HK-406 GFC装置番号:AP-200082
メーカー名(英語表記)
日本電子(JEOL)
型番
JPS-9200
装置の特長及び仕様

標準X線源Mg/Alツインアノード
モノクロX線源
エネルギー分解能:0.65eV(モノクロX線源)
アルゴンイオンエッチング銃
分析径:30µmφ~3㎜φ
最大20点まで連続分析可、分析エリア:20㎜×50㎜

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。
https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1550