共用装置

プラズマCVD装置 Plasma Enhanced CVD system

機器ID
ARIM装置番号:HK-613 GFC装置番号:AP-200006
メーカー名(英語表記)
サムコ(samco)
型番
PD-220ESN
装置の特長及び仕様

成膜材料:SiO2、SiN
試料サイズ:最大8インチ

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-613_プラズマCVD

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1377

イオンビームスパッタ装置 Ion beam sputtering system

機器ID
ARIM装置番号:HK-612 GFC装置番号:AP-200009
メーカー名(英語表記)
アルバック(Ulvac)
型番
IBS-6000
装置の特長及び仕様

成膜材料:4元、Ni,Cr,SiO2、W-Si他
試料サイズ:最大3インチ

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-612_イオンビームスパッタ

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1380

多元スパッタ装置 Multi-target Sputtering sysutem

機器ID
ARIM装置番号:HK-611 GFC装置番号:AP-200072
メーカー名(英語表記)
アルバック(Ulvac)
型番
QAM-4-STS
装置の特長及び仕様

カソード7元(ヘリコン2台含む)
試料:小片~最大Φ100㎜
垂直成膜可能(25mm角まで)
コスパッタ(DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット:Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載(N,O)

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-611_多元スパッタ

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1448

EB蒸着装置 EB vacuume evaporation system

機器ID
ARIM装置番号:HK-607 GFC装置番号:AP-200074
メーカー名(英語表記)
エイコー(Eiko)
型番
EB-580S
装置の特長及び仕様

蒸着源:Au,Ti,Al,Cu,Nb
基板加熱可(600℃程度まで)
水晶振動式膜厚計

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-607_EB蒸着

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1450

ヘリコンスパッタリング装置 Helicon sputtering system

機器ID
ARIM装置番号:HK-609 GFC装置番号:AP-200008
メーカー名(英語表記)
アルバック(Ulvac)
型番
MPS-4000C1/HC1
装置の特長及び仕様

カソード:3元(マグネトロン4インチ、ヘリコンDC2インチ、ヘリコンRF2インチ)
成膜材料:Au,Cr,Ti
試料サイズ:最大4インチ

データご提供用のエクセルファイルはこちらHK-609_ヘリコンスパッタ

装置のお問い合わせ・ご予約は GFC総合システムより承っております。

https://www.gfc.hokudai.ac.jp/system/openfacility/item/show/apparatus_list/1379